Resumen de: EP4769567A1
Disclosed are a lithium iron phosphate precursor, a lithium iron phosphate material, a preparation method therefor, and a use thereof. The lithium iron phosphate material comprises a flower cluster structure, the flower cluster structure comprises secondary particles, and the secondary particles are formed by agglomerating primary particles by means of a coating layer, the material of the primary particles is lithium iron phosphate. The lithium iron phosphate material of the present invention has good electrochemical properties and processing properties when used in batteries.
Resumen de: WO2025193289A2
A method for forming carbon nanotubes may include: volatilizing a metal in a plasma to form an active catalyst; introducing a hydrocarbon stream comprising methane into a hydrocarbon conversion unit and converting at least a portion of the methane into carbon reactant comprising ethylene, acetylene, or a combination thereof; introducing the active catalyst and the carbon reactant into a floating catalyst chemical vapor deposition reactor, wherein the floating catalyst chemical vapor deposition reactor is operated at conditions suitable for carbon nanotube formation; and contacting the active catalyst and the carbon reactant in a reaction zone in the floating catalyst chemical vapor deposition reactor to form carbon nanotubes on the active catalyst.
Resumen de: EP4770316A1
0001 Integrated circuit structures having backside conductive source or drain contacts, and methods of fabricating integrated circuit structures having backside conductive source or drain contacts, are described. For example, an integrated circuit structure includes a dielectric structure over a vertical stack of horizontal nanowires or fin. An epitaxial source or drain structure is laterally adjacent to and coupled to the vertical stack of horizontal nanowires or fin. A conductive source or drain contact structure is laterally adjacent to the dielectric structure and is on and in contact with the epitaxial source or drain structure. The conductive source or drain contact structure is laterally surrounded by a dielectric spacer.
Resumen de: EP4770324A1
A quantum dot device comprising a semiconductor region (102); a first gate dielectric layer (104) of low dielectric constant dielectric material, preferably silicon dioxide, adjacent to the semiconductor region (102); a second gate dielectric layer (106) of high dielectric constant dielectric material, preferably aluminium oxide, adjacent to the first layer of low dielectric constant dielectric material (104); and a third gate dielectric layer (108) of low dielectric constant dielectric material, preferably silicon dioxide, adjacent to the second gate dielectric layer (106); wherein a thickness of the second layer (106) is less than 80% of a combined thickness of the first layer (104), the second layer (106) and the third layer (108), and more preferably less than 50%, and the thickness of the first layer (104) is less than the thickness of the third layer (108). A gate disposed on the gate dielectric layers is configured to induce quantum dots in the semiconductor layer (102). The dielectric layer structure compensates for the unwanted fixed charges present at the interface between the semiconductor (102) and the first dielectric layer (104). The second dielectric layer may be a nanolaminate.
Resumen de: CN122298997A
本公开提供了增材制造用的合金粉末及其制备方法、合金零件;所述制备方法包括:将设定比例的初始原料粉末与增强纳米颗粒进行混合后得到混合后的原料粉末;将所述混合后的原料粉末置于包套中,并通过热等静压法得到待熔炼的合金棒材;对所述待熔炼的合金棒材进行感应熔炼得到原料熔液;对所述原料熔液进行气雾化处理,以制备得到合金粉末。
Resumen de: CN122301485A
本发明公开了一种多孔隙球形纳米半水硫酸钙及其制备方法。该方法为:将含硫酸钙的原料球磨后加入分散剂混匀,再固液分离得到的固体进行焙烧,即得。本发明制得的多孔隙球形纳米半水硫酸钙颗粒分散性好,且粒径分布均匀,比表面积大,同时具有优异的生物相容性和生物降解性,其多孔结构可有效负载药物分子,特别适合药物递送载体,且本发明的产品尺寸可调控,制备方法简单,成本低廉,适合工业化生产。
Resumen de: CN122303931A
0001 本发明公开一种Ru@Zr
Resumen de: CN122303932A
0001 本发明公开了一种用于碱性析氢反应的硫掺杂双调控V<2>C载体负载铂电催化材料的制备方法及其应用,所述方法包括如下步骤:步骤(1)采用LiF‑HCl混合溶液低温刻蚀V<2>AlC前驱体,经水热处理得到层状V<2>C纳米片;步骤(2)将V<2>C与升华硫混合,在保护气氛下程序升温煅烧,制备V<5>S<8>‑V<2>C异质结构材料;步骤(3)将V<5>S<8>‑V<2>C分散于乙二醇‑水混合溶剂中,加入氯铂酸溶液,经油浴回流还原,得到Pt@V<5>S<8>‑V<2>C催化剂。本发明通过硫掺杂实现对V<2>C载体层间结构与铂分散性的双重调控,解决了传统MXene负载铂催化剂在碱性析氢反应中动力学缓慢、铂纳米颗粒易团聚及V<2>C基底结构不稳定等问题。
Resumen de: CN122297517A
本发明公开了一种活性氧响应性损伤内皮靶向与修复的纳米复合物及其制备和应用,属于纳米医学技术领域。该纳米复合物包括草质素‑铜纳米粒子核心,以及通过巯基‑铜亲和连接于核心表面的P‑选择素靶向多肽;其中,草质素‑铜纳米粒子核心由草质素与铜离子经配位作用形成初级复合物后,再经抗坏血酸还原制得。该复合纳米体系能够特异性识别并富集于肾脏损伤区域的血管及肾小管周围,通过在炎症环境中响应高浓度活性氧释放Cu2+及HBT,同步实现抗氧化与抗炎功能,促进血管生成与修复,同时抑制炎症因子释放和巨噬细胞浸润活化,有效阻断纤维化进程。该系统结构明确、靶向性强,能够有效重建微血管、减轻炎症并阻断肾脏纤维化进程,为肾脏疾病的抗纤维化治疗提供了一种高效、精准的纳米药物新策略。
Resumen de: CN122301149A
0001 本申请实施例提供了一种磷酸钙离子簇、复合生物塑料膜及其制备方法和应用,所述磷酸钙离子簇的制备方法包括:向氯化钙溶液中加入三聚磷酸钠溶液,调pH至9‑11,而后加入磷酸三钠溶液,维持pH为9‑11,在搅拌条件下保持1‑3 h,得到磷酸钙离子簇。在生物塑料制备过程中,通过将磷酸钙离子簇表面修饰到细菌纤维素的羟基上,形成官能团化的复合纤维,再向复合纤维中加入海藻酸钠,最终构建出以细菌纤维素为刚性骨架、海藻酸钠为柔性网络、磷酸钙离子簇为缓冲桥梁的复合结构,使强度相较于纯细菌纤维素提升了75%,韧性提升了300%,表现出优异的断裂强度和断裂韧性。
Resumen de: CN122314776A
0001 本发明公开了一种缺陷石墨烯增强的电池复合电极及其制备方法,包括集流体、缺陷石墨烯导电涂层、电极活性材料层;缺陷石墨烯导电涂层设置在集流体的两侧;所述电极活性材料层涂覆于两侧的缺陷石墨烯导电涂层或一侧的缺陷石墨烯导电涂层;和/或所述电极活性材料层中掺混有缺陷石墨烯纳米片,或所述复合电极为自支撑电极形式,由多层堆叠的缺陷石墨烯导电薄膜构成,薄膜内部含有纳米孔隙和缺陷位点,本发明充分利用石墨烯缺陷位的高化学活性,使其兼具导电添加剂、粘结桥梁和活性储锂介质三重功能,协同优化电极微观结构和界面性能。
Resumen de: CN122314823A
本发明涉及一种基于表面氟化物原位修饰碳材料的制备方法,包括以下步骤:①将碳材料粉末、硝酸铝以及聚乙烯醇混合溶解于无水乙醇中,即得硝酸铝溶液;②将氟化铵溶解于混合溶剂中,即得氟化铵溶液;氟化铵溶液缓慢滴加到硝酸铝溶液中进行AlF3原位生长反应,即得复合材料前驱体;③将复合材料前驱体干燥后以程序升温法进行煅烧紧固包覆层,即得AlF3@C复合材料。同时,本发明还公开了该碳材料的应用。本发明制备方法简单、成本低,可高效制备AlF3@C复合材料,所得AlF3@C复合材料作为钾离子或锂离子二次电池的负极材料可显著提升电池的首次库伦效率、倍率性能、循环稳定性和钾离子扩散动力学等一系列性能。
Resumen de: CN122318716A
本申请公开了一种纳米材料、薄膜及其制备方法、光电器件、显示装置,涉及显示技术领域。纳米材料包括无机纳米颗粒和配合物,配合物由羧基化石墨烯和氨基化银络合形成。本申请提供的纳米材料具有较好的导热性。
Resumen de: CN122301254A
0001 本申请公开了一种复合材料及其制备方法、薄膜、光电器件及显示装置,涉及显示技术领域。复合材料的制备方法,包括如下步骤:提供无机纳米颗粒和自由基;将所述无机纳米颗粒和所述自由基混合,得到复合材料。本申请提供的复合材料的制备方法制备得到的复合材料具有较高的载流子迁移率。
Resumen de: CN122298458A
本发明提供了一种用于制备石墨烯的催化介质、装置及方法。该催化介质包括第一金属元素镁、第二金属元素和卤族盐。该装置包括反应系统、气体分散处理系统,固体碳收集系统和气体回收系统;反应系统包括第一反应器和第二反应器;气体分散处理系统包括第一曝气装置、第二曝气装置、第一旋转搅拌器和第二旋转搅拌器;固体碳收集系统包括第一旋风分离器、第二旋风分离器、碳材料收集室。本发明的石墨烯制备方法可实现高品质石墨烯低成本量产,延长催化介质使用寿命,实现高活性、长周期、稳定运行,该方法可利用CO2资源,环保、成本低,原料气转化率及石墨烯品质得到明显提升。
Resumen de: CN122318511A
0001 本申请公开一种纳米粒子、薄膜以及光电器件,纳米粒子包括:无机半导体纳米颗粒,以及包覆于所述无机半导体纳米颗粒的至少一部分上的壳层,壳层的材料包括第一金属,第一金属选自IA族金属、IIA族金属、IIIA族金属、IVA族金属、VA族金属以及过渡金属中的一种或多种,纳米粒子具有良好的溶液加工性能、性能稳定性和导电性,纳米粒子能够用于制备光电器件,有利于提升光电器件的性能稳定性。
Resumen de: CN122315102A
0001 本发明公开了一种LO‑MoO<3>‑PP隔膜及其在锂离子电池循环补锂中的应用,首先通过冷冻干燥法制备的纳米级草酸锂,将纳米级草酸锂与三氧化钼通过研磨混合均匀后得到LO‑MoO<3>,将LO‑MoO<3>与导电剂、粘结剂在溶剂中制成浆料,将浆料刮涂在PP 隔膜上,烘干后得到LO‑MoO<3>‑PP隔膜;实验结果表明,将LO‑MoO<3>涂覆于PP隔膜后,隔膜的润湿性显著改善,电解液浸润效率提升;在LFP/Gr全电池中,LO‑MoO<3>‑PP补锂隔膜作为“锂储库”动态调节活性锂含量,显著抑制了负极形成SEI膜的不可逆损耗,LFP‑LO/Gr全电池表现出良好的容量性能和循环稳定性,有望实现工业化生产。
Resumen de: CN122301251A
0001 本申请公开一种薄膜的制备方法、薄膜以及光电器件,所述薄膜的制备方法包括步骤:提供包括第一金属氧化物的第一膜层,对第一膜层进行硫化处理,获得包括第一金属硫化物的第二膜层;以及,对第二膜层进行氧化处理,获得包括第一金属氧化物的第三膜层,其中,第一金属氧化物中的金属元素包括第一金属元素,第一金属硫化物中的金属元素包括所述第一金属元素,提升了薄膜的纯度和性能稳定性。
Resumen de: CN122301252A
0001 本申请提供一种纳米材料的制备方法、纳米材料、薄膜以及发光器件。通过上述制备方法,得到粒径均一性高的纳米材料,进而提高薄膜以及发光器件性能。
Resumen de: CN122302882A
0001 本申请公开了一种量子点及其制备方法、薄膜、发光器件,所述量子点的制备方法包括:提供纳米晶分散液,向所述纳米晶分散液中添加金属催化剂,熟化,得到反应液;向所述反应液中加入纯化剂进行纯化,得到合金量子点核,将合金量子点核分散在第二溶剂中,然后注入壳层阳离子源和壳层阴离子源,在所述合金量子点核的表面形成壳层。本申请所述的制备方法制备得到的量子点具有较高的发光色纯度。
Resumen de: CN122303661A
本发明公开的一种大规格纳米增强铝基粉末冶金锭坯制备方法,涉及冶金制备技术领域,包括如下步骤:S1、制备复合粉末:将铝基粉末与纳米增强相均匀复合,制备得到纳米增强铝基复合粉末;S2、预压制:将纳米增强铝基复合粉末预压制成锭坯;S3、包套密封:对锭坯包套并密封;S4、加热除气:对包套密封后的锭坯进行加热除气处理;S5、真空烧结:对加热除气处理后的锭坯升温至预定的烧结温度,并进行真空烧结;S6、热压复压:烧结完成后,随即利用真空烧结后的锭坯的余热,对锭坯进行热压复压;S7、后处理:将热压复压后的锭坯去除包套,得到致密化的锭坯,有效解决了大锭坯致密化过程中的难题,同时不依赖真空烧结炉、热压烧结炉等设备,用通用型的压机、马弗炉就能实现,便于低成本、规模化量产。
Resumen de: CN122302885A
本申请公开了一种复合材料、组合物及制备方法、薄膜、发光器件和显示装置,所述复合材料包括量子点和普鲁士蓝类似物,所述普鲁士蓝类似物具有多孔结构和/或中空结构,至少部分量子点分散在所述多孔结构的孔中和/或分散在所述中空结构的空腔中。本申请所述的复合材料具有较高的稳定性。
Resumen de: CN122301469A
本申请公开了一种复合材料及其制备方法、薄膜、光电器件及显示装置,复合材料包括金属氧化物纳米颗粒以及连接在所述金属氧化物纳米颗粒上的有机配体,所述有机配体含有吸电子基团。本申请提出的复合材料中,氧空位被钝化,从而使得材料具有较少的缺陷、较佳的存储稳定性,使得材料的电子传输性能得到调整,可以适用于更多的应用场景。
Resumen de: CN122301468A
0001 本申请公开了一种薄膜及其制备方法、发光器件及显示装置,所述薄膜的材料包括金属氧化物纳米颗粒,多个所述金属氧化物纳米颗粒互相嵌合形成嵌合体,所述嵌合体的数量占所述薄膜中所述金属氧化物纳米颗粒的总数量的百分比w满足0≤w≤25%。本申请提出的薄膜,具有较少数量的嵌合体,从而可以缩小因嵌合体产生的颗粒间间隙,改善薄膜的致密性,得到具有较佳电学性能的薄膜。
Nº publicación: CN122302884A 30/06/2026
Solicitante:
广州工业研究院有限公司
Resumen de: CN122302884A
本申请公开了一种复合材料及其制备方法、薄膜、发光器件和显示装置,所述复合材料包括卟啉分子笼和无机纳米颗粒,所述卟啉分子笼包覆在所述无机纳米颗粒的表面。本申请所述的复合材料具有较高的稳定性。