Alerta

MnFe2O4/rGO纳米复合材料的制备方法及其应用

Resumen de: CN119911974A

本发明提供一种MnFe2O4/rGO纳米复合材料的制备方法及其应用，制备方法，包括以下步骤：S1、将氧化石墨烯、FeCl3·6H2O和MnCl2·4H2O分散在EG中；S2、加入NaAc和PEG，混合均匀后于230℃‑250℃下反应7‑9h，洗涤干燥得到所述MnFe2O4/rGO纳米复合材料。该方案将锰铁氧体与还原氧化石墨烯结合，形成一种新型纳米复合材料，采用共沉淀法和溶液混合法相结合，实现MnFe2O4纳米颗粒在rGO表面的均匀负载，二者的结合可协同提升对砷离子的检测性能。

一种包覆增强型纳米银粉的制备方法及应用

Resumen de: CN119910193A

本发明提供一种包覆增强型纳米银粉的制备方法及应用，S1：采用硝酸银作为银源，聚乙烯亚胺作为还原剂制备纳米银；S2：采用苯胺和过硫酸铵在酸性条件下对纳米银进行包覆改性；S3：采用氯乙酸对聚苯胺包覆的纳米银进行修饰改性得到氯乙酸改性聚苯胺包覆纳米银；S4：制得改性后的氧化石墨烯分散液；S5：部分还原氧化石墨烯；S6：采用部分还原氧化石墨烯负载所述氯乙酸改性聚苯胺包覆纳米银，本发明通过聚苯胺包覆和还原氧化石墨烯复合，有效提升了纳米银颗粒的分散性和稳定性。聚苯胺的氧化态通过电子转移作用促进了银离子的释放，从而增强了抗菌效果；而部分还原氧化石墨烯协同加速了银离子的释放，进一步提高了抗菌性能。

用于制备石墨烯的气体反应装置和气体反应方法

Resumen de: CN119909612A

本公开涉及一种用于制备石墨烯的气体反应装置和气体反应方法，装置包括壳体和设置在壳体内的反应部和催化剂循环机构；反应部包括下端的容纳熔化的金属催化剂的催化剂腔和位于催化剂腔上方的气体反应腔，气体反应腔设有进气口和出气口；催化剂循环机构包括输送组件和分布组件，分布组件设置在气体反应腔顶部并且底部设有若干通孔，输送组件在气体反应期间持续的将催化剂腔内的金属催化剂输送至分布组件；分布组件腔体内的金属催化剂通过通孔渗出，反应气于反应温度下在气体反应腔内与催化剂液滴接触并在液滴表面生成石墨烯，石墨烯随催化剂滴落至催化剂腔；石墨烯在催化剂腔内与金属催化剂分离。该装置能够持续不断的催化气体反应的进行。

一种针对植物卵菌病害的碳量子点及其制备方法和应用

Resumen de: CN119911897A

本发明公开了一种针对植物卵菌病害的碳量子点及其制备方法和应用，属于纳米材料制备技术领域。该制备方法包括如下步骤：将水杨酸、尿素和二水合氯化铜溶解于纯化水中，调整pH值至10‑12，搅拌完全溶解，得到混合溶液；转移至水热反应釜中反应，冷却至室温，得到碳点；离心，收集上清液，0.22μm微孔过滤膜过滤，1000Da透析袋透析10‑14h，真空冷冻干燥，得碳量子点粉末。本发明公开了一种针对植物卵菌病害的碳量子点及其制备方法和应用，将氯化铜作为掺杂剂对碳点进行杂原子掺杂，使得铜与碳点之间产生协同作用，显著增强了复合材料的抗菌能力，该碳量子点具有高效的抗菌效果和优异的抗耐药性。

一种果蔬增产用生物质石墨烯添加剂及其制备方法

Resumen de: CN119912285A

本发明属于农业增产添加剂技术领域，具体涉及一种果蔬增产用生物质石墨烯添加剂及其制备方法；一种果蔬增产用生物质石墨烯添加剂由以下百分比成分组成：5‑10％生物质石墨烯量子点、10‑15％尿素、2‑5％磷酸二氢钙、2‑5％氯化钾、2‑5％海藻提取物、2‑5％亚硒酸钠、1‑3％吲哚乙酸、1‑3％EDTA螯合锌、1‑3％EDDHA螯合铁、1‑3％EDTA‑Cu‑6和水余量；本发明以农业废弃物作为原料，构筑具有较好的吸光能力、水和CO2分子的吸附活化能力的碳量子点材料，并将其作为植物生长的调节剂，拓宽植物光合作用时光的吸收范围，调控植物碳水化合物的运输与分配，最终实现作物的增产，同时助植物更好地吸收矿物质和微量元素，提高肥料的利用效率，减少肥料的流失，促进植物健康生长。

一种葡萄糖生物传感器及其制备方法和应用

Resumen de: CN119915881A

本发明公开了一种葡萄糖生物传感器及其制备方法和应用。具体包括在柔性基底表面涂覆电极浆料后通过CO2激光雕刻制备三电极结构的三维石墨烯电极体；在三电极结构的三维石墨烯电极体中的任意一根电极表面涂覆导电浆料制备参比电极；接着浸入吡咯的硫酸溶液通过循环伏安法制备工作电极，得到石墨烯‑聚吡咯电极；再将其浸泡在硫酸酸化的氯金酸溶液中进行电沉积得到石墨烯‑聚吡咯‑金纳米颗粒电极，最后负载葡萄糖氧化酶，连接分析仪器得到葡萄糖生物传感器。本发明制备得到的葡萄糖生物传感器通过聚吡咯和金纳米颗粒的协同增强效应能够显著提升葡萄糖生物传感器的电化学性能，并采用非物理结合的方式得到，具有优秀的结构稳定性和电化学性能。

ZINC CARBOXYLATE SALT FOR PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR NANOPARTICLE

Resumen de: US2025136538A1

A zinc carboxylate salt used in production of a semiconductor nanoparticle, in which a ratio of carboxylic acids having 8 to 10 carbon atoms in whole of carboxylic acids that form the zinc carboxylate salt is 80.0% by mass or more, and an average branching degree of the whole of the carboxylic acids that form the zinc carboxylate salt is in the range of 1.1 to 2.9. The present invention can provide a zinc salt used for easily producing a semiconductor nanoparticle having a core/shell type structure that has excellent optical properties in the case where two or more types of shell precursors are used to produce the semiconductor nanoparticle having a core/shell type structure.

PHOTODETECTORS COMPRISING BLACK SILICON

Resumen de: WO2025090018A1

The present invention relates to a photodetector comprising black silicon, wherein the black silicon is silicon treated with a first etching gas comprising Cl2, and a second etching gas comprising at least one of SF6, CF4, CHF3, NF4, HBr, H2, O2, F2, or BCl3. The present invention also relates to a method of preparing black silicon, comprising: (i) pre-treating a silicon surface with a first etching gas comprising Cl2; and (ii) treating the pre-treated silicon surface with a second etching gas comprising at least one of SF6, CF4, CHF3, NF4, HBr, H2, O2, F2, or BCl3 thereby forming black silicon. The present invention further relates to a method of preparing a photodetector, comprising: (i) pre-treating a silicon surface with a first etching gas comprising Cl2; (ii) treating the pre-treated silicon surface with a second etching gas comprising at least one of SF6, CF4, CHF3, NF4, HBr, H2, O2, F2, or BCl3 to form black silicon; (iii) applying graphene on the black silicon.

METHOD FOR PATTERNING GRAPHENE LAYERS THROUGH PHOTOLITHOGRAPHY FOR A SCALABLE FABRICATION OF GRAPHENE DEVICES

Resumen de: EP4546050A1

The process flow of graphene patterning for a scalable fabrication of graphene devices is described in which a graphene layer avoids direct contact with the photoresist and its residuals during all fabrication steps. The proposed method utilizes the specific properties of UV-sensitive photoresists, that can also demonstrate DUV-sensitivity, and DUV-sensitive properties of PMMA, based on the fact that chemical processes occurring in the resist films under exposure to suitable wavelengths result in an increased solubility in the developer, whereby a structured mask of the resists can be produced.

一种纳米ZnO-石墨烯复合材料的制备方法

Resumen de: CN119898812A

本发明公开了一种纳米ZnO‑石墨烯复合材料的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1，将氧化石墨烯加入到聚乙二醇水溶液中，超声混合均匀得氧化石墨烯悬浮液；S2，将改性纳米氧化锌、分散剂、酞酸酯偶联剂加入到氧化石墨烯悬浮液中，超声分散，加入沉淀剂，机械搅拌，得混合液；S3，将上述混合液转移至水热反应釜中，洗涤、干燥；S4，对步骤S3后的材料进行煅烧。本发明制得的纳米ZnO‑石墨烯复合材料的结构稳定，粒度均匀。本发明制得的纳米ZnO‑石墨烯复合材料具有高的导电性，具有超优异的高倍率性能以及良好循环稳定性，是非常理想的锌基电池负极材料，可广泛应用于各种便携式电子设备、电动汽车以及航空航天等领域。

一种微米级超大碳洋葱及其制备方法

Resumen de: CN119898763A

本发明公开了一种微米级超大碳洋葱及其制备方法，属于碳洋葱制备技术领域。本发明通过以水溶性糖类、凝胶单体和定形助剂为主要原料，通过凝固浴定型和烘干工艺形成凝胶结构，随后经过高温石墨化处理，实现了大尺寸碳洋葱的高效合成。与传统方法相比，本发明不仅在环保性和合成效率方面具有显著优势，还突破了尺寸限制，成功合成的最大碳洋葱为椭球形，长轴达21.94μm，短轴为17.63μm，分别是已知最大天然碳洋葱尺寸的399倍和321倍，远超人工合成碳洋葱的最大直径(200nm)，为碳洋葱在超级电容器、锂电池、催化剂载体和气体吸附储存等领域的广泛应用提供了更为广阔的前景。

一种基于S掺杂Co3O4氧化石墨烯复合材料及其制备方法和应用

Resumen de: CN119898822A

本发明公开了一种基于S掺杂Co3O4氧化石墨烯复合材料及其制备方法和应用，所述方法包括以下步骤：将硫化钠加入到分散在水中的Co3O4纳米晶体的反应体系中，反应后将溶液转移到高压灭菌器中加热反应，洗涤得到S‑Co3O4纳米晶体；将S‑Co3O4纳米晶体加入到氧化石墨烯悬浮液中混合加热反应，洗涤得到基于S掺杂Co3O4氧化石墨烯复合材料。将基于S掺杂Co3O4氧化石墨烯复合材料分散在去离子水中，然后置于玻碳电极中心，风干后得到所述检测电极。所述检测电极用于检测复杂水体环境中砷离子浓度。本发明为砷离子的快速准确检测提供有力支持，有助于保障人类健康和环境安全。

一种氮硫掺杂碳包覆磷酸铁锂的制备方法

Resumen de: CN119898741A

本发明涉及锂离子电池技术领域，具体涉及一种氮硫掺杂碳包覆磷酸铁锂的制备方法，通过将不同重量百分比且同时含有氮元素和硫元素的玉米醇溶蛋白与磷酸铁和碳酸锂在球磨机的作用下混合球磨，得到前驱体；再将前驱体放入通有保护气的气氛炉中，在一定温度下高温处理后可获得氮硫掺杂碳包覆磷酸铁锂。氮硫掺杂碳包覆磷酸铁锂正极材料，具有较高的初始放电比容量，较好的倍率性能以及较大的锂离子扩散系数。掺杂改性后的碳层大大的提升了电子传输能力，极大的提升了电池的倍率性能以及循环寿命。本发明制备工艺简单、制备周期短、成本低廉，适合大规模生产。

两亲性碳点及其制备方法、表面活性剂组合物及制备方法

Resumen de: CN119898759A

本发明申请公开了两亲性碳点及其制备方法、表面活性剂组合物及制备方法，属于碳点材料技术领域。两亲性碳点包括结晶型sp2或非结晶型sp3杂化的碳，碳核部分具有共轭结构，表面具有亲水基团和C12‑C18的疏水烷烃链，所述亲水基团包括氨基、羟基、羧基。本发明申请制备得到的碳点既具有两亲性，制备方法简单高效、绿色环保。

一种牺牲阳极的材料及其制备方法

Resumen de: CN119900031A

本发明涉及合金技术领域，尤其涉及一种牺牲阳极的材料及其制备方法。该材料包括以下按重量份组分：锌3.24‑7.28份、钛1.22‑3.43份、铟0.54‑1.27份、铈0.22‑0.64份、镧0.36‑0.77份、钆1.10‑2.47份、功能强化剂5.47‑11.21份、余量为镁；所述功能强化剂为掺杂有碳纳米管的螺旋碳纳米纤维。本发明提供的材料中不含铝金属，避免了网状Mg17Al12相的生成，并且降低了自腐蚀反应的发生，提高了电流效率。

一种硬碳负极材料及其制备方法和应用

Resumen de: CN119905585A

本发明公开了一种硬碳负极材料及其制备方法和应用，本发明提供的硬碳负极材料的颗粒粒径为100～300nm，比表面积为80～100m2/g；硬碳负极材料具有分级多孔结构，分级多孔结构的孔径为1.85～30nm的微孔和介孔；平均闭孔直径为1.75～2.0nm；硬碳负极材料具有短程伪石墨结构，平均横向尺寸为3.38～3.50nm，平均纵向尺寸为0.82～0.84nm。本发明通过选择合适的钠盐和/或锂盐与酚醛树脂进行脱水缩合反应并碳化得到硬碳负极材料，所得到的硬碳负极材料同时表现出优异的首效和可逆容量、倍率性能和循环稳定性，本发明的策略更加环境友好、简单方便。

一种抗干扰石墨烯铝箔及其制备方法

Resumen de: CN119875403A

本发明公开了一种抗干扰石墨烯铝箔及其制备方法，属于涂层铝箔材料技术领域。将铝箔、磷酸和丙酮加入烧杯中，40℃反应3h后，抽滤，洗涤，干燥，得预处理铝箔；将改性石墨烯、粘结剂和溶剂搅拌形成浆料；将预处理铝箔浸泡在浆料中，取出后干燥，得到石墨烯铝箔。改性石墨烯表面含有季铵盐结构的分散剂，因而改性石墨烯能够高度分散于浆料中，进而通过粘结剂结合在铝箔表面，同时，改性石墨烯表面含有苯并三氮唑结构，因而改性石墨烯与铝箔间存在化学作用，进而改性石墨烯能够牢固存在于铝箔表面，充分发挥保护作用，使得本发明石墨烯铝箔能够有效屏蔽电磁场的干扰和保障数据传输时的抗干扰性，同时及时散热，减小安全隐患。

基于氧化石墨烯前驱体的石墨烯量子点制备方法及装置

Resumen de: CN119873806A

本发明公开了一种基于氧化石墨烯前驱体的石墨烯量子点制备方法及装置，该方法首先将氧化石墨烯溶解于去离子水中，并进行超声分散,得到氧化石墨烯水溶液；然后对氧化石墨烯水溶液进行透析，去除离子杂质；通过超声波装置产生超声空化，从氧化石墨烯制备石墨烯量子点；最后将处理后的石墨烯分散液取出，透析得到石墨烯量子点溶液。该方法利用高静水压下强超声制备石墨烯量子点，由于在高静水压下的强超声会比常压下的普通超声产生更强的超声空化效应，能够产生更强的力和化学作用，以实现在无化学添加的条件下利用超声波变幅杆，从氧化石墨烯制备石墨烯量子点。克服了传统GQDs制备方法中会添加危险化学品或者引入其它杂质的缺点。

一种钼酸钐/氧化还原石墨烯电催化材料及其制备方法和应用、电化学传感器

Resumen de: CN119873892A

本发明涉及一种钼酸钐/氧化还原石墨烯电催化材料及其制备方法和应用、电化学传感器，涉及电催化材料及电化学传感器技术领域，所述制备方法包括以下步骤：将GO分散于水中进行搅拌，得到GO悬浮液；将Sm(NO3)3·6H2O和Na2MoO4·2H2O分别单独加入水中进行超声溶解，后混合，得到第一混合料；将所述GO悬浮液和所述第一混合料进行搅拌混合，得到第二混合料等步骤。本发明通过水热合成法合成钼酸钐/氧化还原石墨烯电催化材料，并将其修饰玻碳电极以实现首次应用于FZD的电化学检测。与传统检测方法相比，本发明检测方法的优点在于简单高效、绿色环保、响应灵敏、便携，其为致癌残留物的检测提供一种新的途径。

一种硅碳材料和集流体的制备方法

Resumen de: CN119890238A

本发明涉及一种硅碳材料和集流体的制备方法，旨在解决现有锂离子电池负极材料能量密度有限的问题。该方法通过在立式炉中控制不同温区的温度，将碳源、催化剂、硅烷、氢气和载气通入反应炉中，利用铁丝牵引将产物收集在辊上，形成硅/碳纳米管材料。随后，通过酸洗和致密化处理得到硅/碳纳米管复合薄膜，并将其涂敷粘结剂后粘贴于铜箔上，制成硅碳负极集流体。该方法制备的硅碳材料具有优异的电化学性能和良好的循环稳定性，能有效缓解硅体积膨胀问题，提高电池的循环寿命和安全性。通过精确控制材料合成条件，该方法为高性能锂离子电池的发展提供了一种新型的硅碳负极材料和复合集流体。

一种CVD原位生长石墨烯碳纳米管复合材料及其制备方法

Resumen de: CN119873809A

本发明涉及纳米材料合成技术领域，公开了一种CVD原位生长石墨烯碳纳米管复合材料及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：步骤一、在具有泡沫结构的金属材料模板上通入碳源气体Ⅰ，化学气相沉积生长三维石墨烯；步骤二、在步骤一所得石墨烯表面引入缺陷；步骤三、通入碳源气体Ⅱ，在步骤二所得石墨烯表面化学气相沉积原位生长碳纳米管即得复合材料。所得复合材料微观网络结构稳定性好，不容易坍塌，碳纳米管的生长一致性好，可大规模制备和应用于储能器件中。

一种石墨烯原料加工工艺

Resumen de: CN119873804A

本发明公开了一种石墨烯原料加工工艺，涉及石墨烯生产技术领域，包括以下步骤：原料混合搅拌、氧化反应、洗涤过滤、机械研磨与磁选分离、超声分散、还原反应和后处理；本发明中通过精准控制原料混合搅拌、氧化反应、洗涤过滤等前期工序，可有效保障氧化石墨的品质与纯度，为后续石墨烯制备奠定良好基础；采用高能球磨机进行机械研磨，能使氧化石墨结构细化，提升材料性能，且磁选分离装置的设置可精准去除铁基金属杂质，进一步提高石墨烯产品的质量，有利于其在高端领域的应用；通过超声分散、还原反应及后处理工序的紧密配合，能稳定地将氧化石墨烯转化为高质量的石墨烯，且整个工艺成本相对较低，有利于大规模工业化生产与推广应用。

碳材料制备装置及制备方法

Resumen de: CN119869395A

本发明属于碳纳米材料制备技术领域，涉及碳材料制备装置及制备方法，其中装置具体包括：包括反应炉，反应炉上设置有第一等离子发生器、第二等离子发生器、催化剂熔融腔体、以及延伸反应段；第一等离子发生器设置在反应炉的一侧，延伸反应段设置在反应炉上且与第一等离子发生器相对的另一侧；第一等离子发生器的喷口朝向延伸反应段；第二等离子发生器设置在反应炉的上部，催化剂熔融腔体设置在反应炉内底部，且第二等离子发生器的喷口与催化剂熔融腔体相对；催化剂熔融腔体连接有贯穿反应炉底部的底电极。该装置使碳纳米微粒、铁纳米微粒的产量分别可控，进行可以通过单独对两套等离子发生器进行调节以达到最佳生产速度。

一种掺氮碳量子点偶联ICAM-1单克隆抗体的纳米复合体及其在锰影响脓毒症进展中的转化应用方法

Resumen de: CN119868578A

本发明提供了一种掺氮碳量子点偶联ICAM‑1单克隆抗体的纳米复合体及其在锰影响脓毒症进展中的转化应用方法，涉及生物医药技术领域。所述纳米复合体为荧光碳纳米粒子偶联单克隆抗体。所述掺氮碳量子点偶联ICAM‑1单克隆抗体的纳米复合体以纳米材料掺氮碳量子点为载体，ICAM‑1为靶向分子，通过共价偶联形成靶向纳米载体ICAM‑1@N‑CDs，将掺氮碳量子点递送进炎症部位，通过快速高效地消除内皮细胞和巨噬细胞内、外过量的ROS，以改善病灶部位炎性微环境，提高ALI/ARDS、脓毒血症的治疗效果。

一种磷酸铁锂正极材料、其制备方法及锂电池

Nº publicación: CN119890280A 25/04/2025

Solicitante:

广东邦普循环科技有限公司

Resumen de: CN119890280A

本发明公开了一种磷酸铁锂正极材料、其制备方法及锂电池，涉及锂离子电池技术领域。本发明采用特定的方法测试磷酸铁锂正极材料的压制指数，使压制指数满足特定的范围，同时Dv50‑Dv100范围内较大颗粒的平均圆形度满足适宜的范围，此类磷酸铁锂正极材料有较优的颗粒运动能力，在压制时颗粒能够以较快的速度运动重排，从而有利于得到压实密度高的正极极片并提高电池的充放电容量，同时有利于避免受压时颗粒发生破碎，使其具有良好的抗压能力。采用本发明提供的磷酸铁锂正极材料能够使锂电池兼具较高的能量密度和容量保持率。