Carbon nanomaterials

碳纳米管表面熔覆碳化硅复合材料及其制备方法和应用

Absstract of: CN121292440A

本发明涉及改性碳纳米管制备领域，公开了碳纳米管表面熔覆碳化硅复合材料及其制备方法和应用，所述碳纳米管表面熔覆碳化硅复合材料包括碳纳米管，该碳纳米管的表面包覆有碳化硅。本方法能有效解决碳纳米管和金属的界面润湿问题，便于将碳纳米管直接添加到金属溶液中，大幅提升生产效率，具有较高的实际生产指导意义。

一种新型双功能酪胺红光碳点及其制备方法和应用

Absstract of: CN121293975A

本发明公开了一种新型双功能酪胺红光碳点及其制备方法和应用，所述的新型双功能酪胺红光碳点为表面具有酪胺结构残基的红光碳点Tyr‑CDs，新型双功能酪胺红光碳点是以酪胺和邻苯二胺为前驱体通过一步水热法制备得到的；新型双功能酪胺红光碳具有信号放大与检测功能和细胞荧光标记功能。该碳点发光性能优良，稳定性好，制备成本低，制备方法简单且生物毒性小，能够结合ELISA和TSA技术建立高灵敏、低成本的免疫荧光定量检测方法，有望作为新型荧光探针替代传统荧光染料，并且其基于其优良的信号放大标记功能，能够实现单个酵母细胞的超高灵敏荧光测定，为ELISA、细胞荧光标记、免疫组化等生物学技术提供新的信号放大试剂，在生物传感领域具有较高的应用价值。

斜坡型碳纳米管负极、其预钠化方法及包含其的钠离子电池

Absstract of: CN121306962A

本发明公开了一种斜坡型碳纳米管负极、其预钠化方法及包含其的钠离子电池，所述预钠化方法包括：配制0.5 M的联苯钠DME溶液作为预钠化溶液；将所述预钠化溶液滴加至斜坡型碳纳米管负极极片表面，预钠化溶液在极片表面的覆盖量为8.842~22.105μL cm‑2；随后将斜坡型碳纳米管负极极片在35~45℃下热处理，之后采用DME清洗并干燥。本发明通过滴加法化学预钠化处理工艺解决的是斜坡型碳纳米管材料中与表面缺陷相关的“陷阱”效应、活性材料与电解液界面处的副反应而导致的活性钠离子损耗问题。

一种对番茄促生耐盐的地栽杏鲍菇菌柄基部衍生碳点及其制备方法和应用

Absstract of: CN121292419A

本发明公开了一种对番茄促生耐盐的地栽杏鲍菇菌柄基部衍生碳点及其制备方法和应用，属于植物生长调节剂技术领域。本发明所述的制备方法，包括以下步骤：将地栽杏鲍菇菌柄基部热处理后研磨与水充分混匀后经超声、离心，取上清液透析、过滤得到地栽杏鲍菇菌柄基部碳点(PbCDs)。本发明利用PbCDs调节细胞周期、提高光合作用和抗氧化防御，同时减少ROS积累和脂质过氧化，维持盐胁迫下细胞氧化还原稳态，PbCDs不仅可以缓解番茄盐处理，还可以提高番茄光和效率，促进番茄植株生长，从而促进番茄生长并提高耐盐性。

一种高荧光量子产率木聚糖基碳点的制备方法

Absstract of: CN121293976A

本发明公开了一种高荧光量子产率木聚糖基碳点的制备方法，所述碳点以从玉米芯中提取的木聚糖和3,4‑二氨基苯甲酸为原料，按一定比例溶于超纯水中，混合均匀后转移至水热反应釜并放入马弗炉中进行反应，反应结束后冷却至室温，通过离心和透析进行分离纯化，最后经冷冻干燥即可得到木聚糖碳点。本发明制备的木聚糖碳点分散于水中，在365 nm紫外灯下呈现蓝色荧光，荧光量子产率最高达60.01%。本发明的木聚糖碳点具有出色的荧光性能，解决了以木聚糖为前驱体难以获得高荧光量子产率碳点的瓶颈问题，制备方法简单，成本低。制备出的木聚糖碳点因荧光量子产率高，在生物标记、细胞成像和分析检测等领域有着广泛的应用前景，同时实现了农林副产物的高值化利用。

一种含铋镍双金属硒化物的复合材料及其制备方法和应用

Absstract of: CN121292381A

本发明涉及钠离子电池电极材料技术领域，具体是一种含铋镍双金属硒化物的复合材料及其制备方法和应用。其制备方法是以高温热解下结构不稳定的棒状丁二铜镍前驱体为镍源，将其与铋源进行水热反应后在惰性氛围下与硒通过气相沉积的方式进行硒化处理，待冷却至室温后即可得到二维纳米板负载纳米颗粒的铋镍双金属硒化物复合材料。该方法充分利用丁二酮肟镍的低热稳定性，在热解‑硒化过程中实现棒状‑多孔状‑小纳米颗粒的转化。这种形貌的转变有利于最终均匀的包裹在硒化铋纳米板表面。该方法所用原材料廉价且来源丰富，制作周期短，稳定性好。同时，两组分在储钠过程中工作电位的互补性也可实现在整个电压范围内的高效钠储存。

多孔碳材料、负极材料及其制备方法和应用

Absstract of: CN121292401A

本发明涉及一种多孔碳材料、负极材料及其制备方法和应用，所述多孔碳材料中孔径≤0.7nm的超微孔被碳材料封堵，超微孔在多孔碳材料中的体积占比≤1%，且非超微孔中具有夹层结构。本发明所述的多孔碳材料使负极材料具有高首效、低膨胀和长循环的性能优势，用于电池中有利于提高电性能。

一种可调控石墨烯结晶效果的石墨烯-金刚石异构结的制备方法

Absstract of: CN121295363A

本发明公开了一种可调控石墨烯结晶效果的石墨烯‑金刚石异构结的制备方法，通过两种金属的协同增效作用或抑制作用，有效调控金刚石表面生成的石墨烯薄膜的层数，且保证了石墨烯结晶质量。具体方法是：从石英管底部向上依次有间距的设置金属锰、金刚石和第二金属，抽真空后密封石英管；对真空密封石英管加热使锰和第二金属形成气态金属，气态金属与金刚石接触形成气‑固催化界面催化生成石墨烯；当第二金属选自能与气态金属锰发生反应的金属时，对石墨烯生成具有促进作用，形成多层石墨烯薄膜；当第二金属选自不能与气态金属锰发生反应的金属时，对石墨烯生成具有抑制作用，形成单层或双层石墨烯薄膜，进而实现石墨烯薄膜层数厚度的调控。

一种低损、无活性剂添加“束分散”技术制备高性能单壁碳纳米管薄膜的方法

Absstract of: CN121292421A

本发明涉及高性能单壁碳纳米管薄膜制备领域，具体为一种低损、无活性剂添加“束分散”技术制备高性能单壁碳纳米管薄膜的方法。以浮动催化剂化学气相沉积法制备的大尺寸管束、高结晶性单壁碳纳米管海绵体为原料；利用弱剪切作用在与单壁碳纳米管相容性好的溶剂中进行“束分散”，保留大尺寸、高结晶度碳管束的基本成膜单元，获得低损单壁碳纳米管悬浊液；再组装制成厚度、尺寸、形状可调控的高性能薄膜。单壁碳纳米管薄膜具有优异的电学、力学性能，电导率最高达8.6×105S/m，比拉伸强度最高达0.3N/tex，有望作为电热除冰、电磁屏蔽、雷电防护等多功能薄膜应用于可穿戴设备、航空航天等前沿领域。

一种氮掺杂介孔碳材料及其制备方法和应用

Absstract of: CN121292420A

本发明公开了一种氮掺杂介孔碳材料及其制备方法和应用，将不同比例的双模板表面活性剂F127和聚醚P123溶于乙醇体系中后加入间苯三酚、1，3，5‑三甲苯、乙二胺，搅拌反应完成后在氮气气氛下预热后800℃加热1h，得到氮掺杂介孔碳材料。本发明采用溶剂介导双表面活性剂的聚合诱导微乳液法成功的合成了一个具有微孔‑介孔双壳层结构的中空开放分级多孔碳纳米球，氮掺杂增加了碳材料的活性位点，微孔‑介孔结构增加了离子传输能力，使氮掺杂介孔碳材料表现出优异的电化学性能。

一种火焰原位合成氮掺杂碳纳米管的方法

Absstract of: CN121292423A

本发明涉及氮掺杂碳纳米管制备技术领域，具体涉及一种火焰原位合成氮掺杂碳纳米管的方法，包括以下步骤：S1，采用铜片基板作为载体；S2，在铜片基板上涂覆镍‑钼双金属催化剂，得到表面涂敷催化剂的基板；S3，将步骤S2中涂敷有催化剂的基板置于混合燃料扩散火焰中，控制采样时间，得到氮掺杂碳纳米管；这种火焰原位合成氮掺杂碳纳米管的方法，解决了目前碳纳米管的合成体系中环境催化剂的敏感性导致了在特定实验条件下筛选出的最优催化剂，一旦实验条件发生改变，其催化活性可能会受到严重削弱，甚至完全丧失的问题。

一种由石墨烯包覆的硅基负极材料的制备工艺

Absstract of: CN121306910A

本发明公开了一种由石墨烯包覆的硅基负极材料的制备工艺，其特征在于包括步骤：一﹑a)包覆：将纳米硅基材料分散于溶剂中，加入辅助溶剂，分散均匀；向其中加入聚合物树脂材料，溶解；将该溶液浇筑于模具中，向其中加入水，使聚合物析出，洗涤干燥，得到由聚合物包覆硅基材料的前驱体；b)将前驱体加入高温管式炉碳化，隔绝空气，于700℃‑1000℃、20分钟‑60分钟，制得碳包覆硅基材料。二、将碳包覆硅基材料转化为石墨烯包覆硅基负极材料，利用闪蒸焦耳热设备，于放电电压(150V‑400V)，放电时间(50ms‑300ms))下，将碳包覆硅基材料转化为石墨烯包覆硅基材料。制得的石墨烯包覆层是原位生成的，具有高均匀性高强度，能够有效地改善硅基材料在充放电时的膨胀问题。

一种提高粉末-复材混合构件界面结合强度的方法

Absstract of: CN121293541A

本发明涉及一种提高粉末‑复材混合构件界面结合强度的方法，属于复合材料制造技术领域，解决了现有技术中因粉末与复材基体物理化学性质差异大而导致的界面结合力不足、易发生剥离失效的问题。该方法包括：在金属或陶瓷粉末表面原位生长垂直于基体的碳纳米管阵列；将改性后的粉末与复合材料预浸料进行叠层组装；通过热压工艺使碳纳米管穿刺嵌入复合材料基体，在界面区域形成牢固的三维纳米机械互锁结构。该方法实现了粉末与复合材料间的高效应力传递与强界面结合，显著提升复合构件的界面剪切强度与抗剥离性能，可广泛应用于航空航天、电子封装及高端装备中需高可靠性连接的轻量化复合部件制造。

DIODE DEVICE BASED ON SINGLE CARBON NANOTUBE STRUCTURE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Absstract of: WO2026007848A1

Provided in the present invention are a diode device based on a single carbon nanotube, and a manufacturing method therefor. The diode device is either a Schottky diode or a p-n junction diode. The Schottky diode consists of a metal end and a semiconductor end, and is formed by axial tailoring, wherein the metal end has no band gap, the semiconductor end has a band gap greater than 0, and the metal end and the semiconductor end come into contact to form a Schottky junction. In the p-n junction diode, one end of a carbon nanotube is doped with boron to form a p-type region, the other end is tailored to introduce dangling electrons to form an n-type region, and a p-n junction is formed at a contact interface. The diode device and the manufacturing method therefor of the present invention solve the difficult problem of forming regions having different conductive properties on a single nanotube, thus break through the size constraints of existing semiconductor processes, and achieve nanoscale diode devices having a diameter less than a few nanometers or even less than one nanometer, thereby providing a new solution for miniaturized electronic devices.

QUASI-CARBON NANOTUBE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Absstract of: WO2026007849A1

A quasi-carbon nanotube structure and a manufacturing method therefor. The quasi-carbon nanotube structure comprises a carbon nanotube or a carbon nanoribbon. Axial linear defects are formed on the carbon nanotube by means of atomic-level tailoring, and the carbon nanoribbon is curled to form a stable quasi-carbon nanotube structure containing axial linear defects, wherein the linear defects realize chiral inversion and bandgap width control, such that a semiconducting chirality carbon nanostructure is inverted into a metallic carbon nanostructure. Provided is an atomic-level manufacturing method for implementing electrical conductivity enhancement and chiral inversion of a carbon nanotube. The advantages of the method lie in that without requiring the chirality of an initial carbon nanotube structure, and by means of introducing required axial linear defects, the chiral inversion from a semiconducting carbon nanotube to a metallic carbon nanostructure is achieved, and the enhancement and control of metallic properties of the metallic carbon nanotube structure are also achieved. The introduced linear defects lead to degeneracy lifting, thus significantly improving the electrical conductivity of a carbon nanotube, achieving chirality control, and simplifying the chirality control mode.

GRAPHENE-BASED THERMAL INTERFACE PAD HAVING A CURVED SURFACE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE PAD

Absstract of: WO2026010555A1

A polymer infiltrated graphene-enhanced thermal interface pad (100, 200) comprising a plurality of strips (102) of polymer infiltrated graphene-based film extending in the plane of the pad, wherein a thickness of the thermal interface 5 pad is different across the area of the pad.

ELECTRON SOURCE

Absstract of: EP4675667A1

A disclosed electron source includes: (A) a graphene layer having an electron emission area on a surface of the graphene layer; and (B) a p-type semiconductor layer that is in direct contact with the graphene layer and forms a Schottky junction with the graphene layer. In this way, the electrons are accelerated in the depletion layer in the p-type semiconductor layer. Moreover, unlike the MIS type electron source, since the electrons are not accelerated in the insulator layer, the dielectric breakdown caused by a large number of electrons travelling in the valence band of the insulator does not occur, and a long lifespan electron source can be realized. Note that the aforementioned p-type semiconductor layer preferably has a depletion layer having a width of 2.91 nm or more and 30 nm or less.

一种钛锰系固态储氢材料及其制备方法

Absstract of: CN121269625A

本发明公开了一种钛锰系固态储氢材料及其制备方法，该材料包括按重量份计的以下原料：TiZrVFeMn合金粉末100份、Ti@CNTs 4‑15份和载镍铁抗氧化MXene 1.9‑7.6份；TiZrVFeMn合金粉末中各成分的质量百分含量为：Ti 21‑25%，Zr 1.5‑4.2%，V 7‑14%，Fe 1.4‑3.5%，剩余为Mn。本发明通过在TiZrVFeMn合金粉末中添加载镍铁抗氧化MXene，一方面能够借助其二维层状结构提高储氢密度并改善放氢性能，另一方面借助于其上杂化的Ti3C2量子点所提供的还原性能，可以有效提高储氢合金的抗氧化能力，解决钛锰系储氢合金因氧化造成表面中毒、难活化的问题，并提高其循环寿命。

一种石墨烯碳纳米管杂化材料的制备方法及锂硫正极材料

Absstract of: CN121269689A

本发明涉及锂硫电池技术领域，具体涉及一种石墨烯碳纳米管杂化材料的制备方法及锂硫正极材料。本发明提供的石墨烯碳纳米管杂化材料的制备方法，包括如下步骤，S1，将氧化石墨烯溶液和二价金属盐溶液混合，得到混合液；S2，将碳源、氮源和沉淀剂混合，在向其中加入步骤S1得到的混合液，水热反应，固液分离，得到中间体；S3，将中间体碳化、洗涤和固液分离得到石墨烯碳纳米管杂化材料。本发明利用氧化石墨烯表面具有丰富且分布均匀的极性官能团的特性，能够均匀的吸附二价金属离子，以便于水热反应中原位生长的碳纳米管分布更加均匀，增加了储硫空间，创建快速的例子和电子传输通道，增加电化学反应动力学。

磷酸铁锂材料及其制备方法与应用

Absstract of: CN121269672A

本申请提供了一种磷酸铁锂材料及其制备方法与应用，属于锂电池技术领域，其中所述的磷酸铁锂材料，以质量份数计包括以下原料：LiFePO4前驱体88‑92份、Li2SiO32‑4份、MgF2 0.5‑1.5份、Mg‑Ti‑Zr三元梯度掺杂溶胶1.5‑2.5份、表面羧基化改性的聚丙烯腈基碳纤维4‑6份。本发明的磷酸铁锂材料通过Mg‑Ti共掺杂、原子层沉积Li2SiO3层以及化学沉积碳层等步骤，有效提升了材料的导电性能和结构稳定性，从而使其在锂电池正极材料中展现出了优异的充放电性能及循环性能，特别是在低温环境下具有显著的优势。

一种可用于污水检测的碳量子点-ZIF-8复合物及其制备方法和应用

Absstract of: CN121270582A

本发明涉及一种可用于污水检测的碳量子点‑ZIF‑8复合物及其制备方法和应用。通过ZIF‑8和碳量子点配合，允许碳量子点‑ZIF‑8复合物通过双峰比值法实现四环素类的高精度检测。

一种蓝色荧光碳点及其制备方法

Absstract of: CN121271537A

本发明提供了一种蓝色荧光碳点及其制备方法。该方法包括：将原料对苯二酚溶于由盐酸与去离子水组成的混合溶剂中，充分搅拌形成均匀溶液；随后将混合溶液转移至反应釜中进行水热反应；反应结束后经冷却、萃取、浓缩及透析处理，即获得目标碳点。在370nm～410nm波长激发下，所制备的荧光碳点呈现蓝色荧光发射，且具有多重发射特征，发射峰分别位于447nm，473nm和502nm处。本发明以对苯二酚为原料，在盐酸与水构成的溶剂体系中，通过一步水热法实现蓝色荧光碳点的简便制备。该方法原料易得、成本低、操作简单，具备良好的规模化生产前景。

一种氮掺杂核桃壳基碳量子点的制备方法及应用

Absstract of: CN121271535A

本发明公布了一种核桃壳基碳量子点制备方法及应用，包括以下步骤：步骤S1.将核桃粉、邻苯二胺和乙二胺加入反应釜中，超声溶解混合，高温下反应得到CDs粗产物；步骤S2.将CDs粗产物转移至离心管离心，取上清液用0.22um滤头过滤，取滤液，得到CDs溶液；步骤S3.将所得CDs溶液透析，透析袋内的保留液取出后装入容器冷冻成冰块，放入真空冷冻干燥机中干燥，得到氮掺杂核桃壳基碳量子点：N‑CDs。本发明利用随处可见的核桃壳作为杂原子掺杂的碳源，制备了绿色环保的N‑CDs，并根据其较好的光电特性，将其掺杂到钙钛矿薄膜光伏电池中，能够增加钙钛矿太阳能电池的短路密度电流（Jsc）、开路电压（Voc）、填充因子（FF），从而提高其光电转化效率（PCE）。

一种水溶性补骨脂素类中药衍生碳量子点的制备方法

Absstract of: CN121271534A

本发明提供了一种水溶性补骨脂素类中药衍生碳量子点的制备方法，属于纳米材料技术领域。本发明采用补骨脂素类中药为原料，通过引入具有还原性的亚硝酸盐提高补骨脂素类中药衍生碳量子点的水溶性，不需要采用有机溶剂和表面活性剂分子修饰，利用亚硝酸根引入氮相关基团。操作过程简单，制备的补骨脂素类中药衍生碳量子点在高浓度下也具有良好的水溶性，而且具有蓝绿波段的荧光发射，在生物医学领域具有广阔的应用前景。

一种利用铝电解废炭渣制备碳量子点的方法

Nº publicación: CN121269687A 06/01/2026

Applicant:

中铝郑州有色金属研究院有限公司

Absstract of: CN121269687A

本申请涉及一种利用铝电解废炭渣制备碳量子点的方法，属于电解铝工业固废综合利用技术领域。本申请通过选择铝电解废炭渣作为碳源，并引入尿素作为掺杂剂和分解剂制备碳量子点，不仅解决了铝电解废炭渣处理的环境问题，还为碳量子点的制备提供了新的思路和技术支持。