Alerta

BACKSIDE CONTACT PLACEHOLDER FORMATION WITH IMPROVED PROCESS CONTROL

Resumen de: EP4580335A1

Devices, transistor structures, systems, and techniques are described herein related to backside contacts for nanoribbon field effect transistors formed using a backside placeholder contact. The device comprises source/drain regions (1101 and 1102), nanoribbon channels (203), a gate (206), as well as back-and front-side metallizations (1301, M0-M4, BM0-BM2). The backside placeholder contact is templated from a recessed dielectric material such as a recessed carbon hardmask. The recessed dielectric material is formed and replaced with a placeholder metal in frontside processing, and the placeholder metal is revealed and replaced from the transistor backside to form the backside contact. The interface between the backside contact (1501) and the source/drain region (1101) has a concave shape, curved inwardly in the source/drain region with a flat peripheral part, as shown in the inset.

CARBON NANOTUBE DISPERSION COMPOSITION, MIXTURE SLURRY, ELECTRODE FILM, AND SECONDARY BATTERY

Resumen de: EP4578828A1

A carbon nanotube dispersion composition includes carbon nanotubes (A), a dispersant (B), and a solvent (C). A particle diameter D50 at a cumulative volume of 50% according to laser diffraction particle size distribution measurement is 0.3 to 7 µm, and (1) and (2) below are satisfied.(1) The dispersant (B) is a polymer that has a weight average molecular weight of 5,000 or more and 360,000 or less and includes a carboxyl group-containing structural unit derived from at least one of (meth)acrylic acid and (meth)acrylate having a carboxyl group, and a content ratio of the carboxyl group-containing structural unit is 80 mass% or more based on a mass of the polymer.(2) When the particle diameter D50 at a cumulative volume of 50% according to laser diffraction particle size distribution measurement of the carbon nanotube dispersion composition is X µm, and a pH is Y, X and Y satisfy (Formula a) and (Formula b) below: Y≥−0.149X+4.545Y≤−0.134X+5.140.

A method of producing carbon materials from feedstock gases

Resumen de: GB2636810A

A method of producing carbon materials from one or more carbon containing feedstock gases is described. The method comprises melting one or more electrolytes 124 inside a reactor chamber 120, followed by adding from 0.03 wt% to 0.5 wt% catalyst of the total electrolyte mass. The catalyst is added at a dosage rate from 16.7 ppm hour-1 to 277.8 ppm hour-1. One or more feedstock gases are provided into the molten electrolyte 124 in the reactor chamber 120 with a flow rate comprising at least 4.2 standard cm3 min-1 A-1 mass equivalent of CO2 A direct current density is then applied, in the range from 100 A m-2 up to 20 000 A m-2, to one or more anodes 140 and one or more cathodes 131. The carbon materials so produced may be carbon nanotubes (CNT), nano spirals, nanospheres, nanofibers (CNF), nanoflakes multi-walled nanotubes (MWCNT) or oxidised multiwall nanotubes (OMWCNT).

一种本征缺陷石墨烯及其制备方法

Resumen de: CN120229712A

本发明涉及纳米碳材料的制备技术领域，具体涉及一种本征缺陷石墨烯及其制备方法，将高纯石墨粉与过氧化苯甲酰混合，研磨，得到灰色粉末；将所述灰色粉末在空气气氛条件下恒温煅烧，自然冷却至室温，得到黑色膨胀粉末；将所述黑色膨胀粉末在氨气气氛条件下恒温煅烧，自然冷却至室温，得到氮掺杂石墨；将所述氮掺杂石墨压制成棒，作为电弧炉的阳极，以高纯石墨棒作为电弧炉的阴极，在氢气和保护气体气氛条件下，进行电弧放电，待阳极棒消耗完毕，收集炉腔内产生的烟炱，得到本征缺陷石墨烯，本发明无需以石墨烯或杂原子掺杂石墨烯为前提，可直接使用高纯石墨烯作为前体，解决现有的本征缺陷石墨烯制备方法中存在的成本高和效率低的问题。

一种一维硅碳复合物制备多孔负极硅碳材料的方法

Resumen de: CN120237189A

本发明公开了一种一维硅碳复合物制备多孔负极硅碳材料的方法，涉及电极材料技术领域，首先通过化学气相沉积法在CNT表面沉积纳米硅，形成S i/CNT复合物；然后将该复合物与表面活性剂混合于水中，加入含树脂的乙醇混合溶液，超声搅拌后干燥得到S i/CNT/C前驱体；接着在氩气氛围下烧结前驱体，得到S i/CNT/C材料；将该材料与生物质材料混合、真空干燥后，再次在氩气氛围下烧结并经气流磨，最终得到多孔负极硅碳材料；该一维硅碳复合物制备多孔负极硅碳材料的方法，通过在碳纳米管CNT表面沉积纳米硅，有效缓解体积膨胀；通过双层碳包覆和多孔结构，促进电解液渗透和电解液与硅碳的接触面积，且提高负极材料的倍率性能。

一种SiC表面规则碳纳米管及其制备方法

Resumen de: CN120229708A

本发明公开了一种SiC表面规则碳纳米管及其制备方法，涉及低维材料规则制备的技术领域。对SiC单晶进行预处理，得到SiC基材；对SiC基材进行热处理，得到SiC热解石墨烯；将SiC热解石墨烯在金属镍气氛下进行活化，得到活化GF/SiC；利用分子束外延生长技术，加热蒸发源内的金属铟源材料，在活化GF/SiC表面生长一层金属铟纳米薄膜，得到InGF/SiC片材；将InGF/SiC片材放置于微型真空容器中进行高温退火处理，制得SiC表面规则碳纳米管。本发明制备的规则取向碳纳米管具有优异的电学、热学和力学性能，在电子器件、传感器、复合材料等领域具有广泛的应用前景。

单壁碳纳米管及其处理方法、导电浆料及其应用

Resumen de: CN120229709A

本申请实施例涉及一种单壁碳纳米管及其处理方法、导电浆料及其应用。单壁碳纳米管的处理方法包括：对初始单壁碳纳米管进行至少一次加热和冷却处理；加热和冷却处理包括：对初始单壁碳纳米管进行预设时间的加热处理；预设时间为0.1s‑5s；通入惰性气体对经过加热处理后的初始单壁碳纳米管进行冷却处理，使得初始单壁碳纳米管在1min‑10min内被冷却。如此，在使得单壁碳纳米管的管束直径减小的同时还能够提升单壁碳纳米管的导电性能。

一种近红外碳化聚合物点聚集体的制备方法及应用

Resumen de: CN120229706A

本发明公开了一种近红外碳化聚合物点聚集体的制备方法及应用，涉及复合材料制备技术领域。包括以下内容：碳化聚合物点(CPDs)在氢键受体溶剂中进行组装得到CPDs聚集体；所述CPDs由柠檬酸和苯甲酰脲制备得到。在制备光热电转换设备中应用的具体实施方法包括以下内容：所述CPDs聚集体与聚合物共混进行杂化反应得到光热转换模块；将所述光热转换模块负载于半导体器件，构造为光热电转换设备。本发明的CPDs聚集体的制备方法简单、高效，提升了聚集体的构筑可控性，CPDs聚集体具有高效的光热转换效果，在光热电连续能量转移器件或光热电发电机方面有很好的应用前景。

一种表面原位生成纳米Ti3SiC2的复合CNTs的制备方法

Resumen de: CN120229723A

本发明涉及材料工程技术领域，尤其涉及一种表面原位生成纳米Ti3SiC2的复合CNTs的制备方法，包括以下步骤：将表面活性剂OP‑10分散在去离子水溶液中，得到OP‑10去离子水溶液，备用；取一定量制得的OP‑10去离子水溶液，按一定配比，将CNTs、纳米Si粉和纳米Ti粉加入OP‑10去离子水溶液中，充分分散均匀后真空干燥，制得混合粉末，备用；对制得的混合粉末进行热处理，基于原位反应在在CNTs表面合成具有不同结构的纳米Ti3SiC2，即的复合材料；对制得的复合材料进行真空球磨，即的复合材料粉末。本发明提出的复合材料可以增强CNTs与金属基体的界面结合，提升金属基体机械性能。

内窥镜取石网篮用镍钛形状记忆合金及其制备方法

Resumen de: CN120230941A

本发明公开了内窥镜取石网篮用镍钛形状记忆合金及其制备方法，属于合金制备技术领域。所述内窥镜取石网篮用镍钛形状记忆合金的制备方法，包括以下步骤：步骤一：将高纯度镍和钛进行熔炼，冷却，去除表层物质，均匀化退火，热轧，水淬，得到镍钛合金基体；步骤二：将改性碳纳米管加入至无水乙醇中，得到悬浮液，将镍钛合金基体进行冷轧处理，每次冷轧处理前，均匀喷涂悬浮液，重复处理，拉拔，低温退火，冷却，得到复合镍钛合金基体；步骤三：将复合镍钛合金基体进行喷砂处理，超声清洗，然后喷涂改性聚合物溶液，固化，抛光，得到内窥镜取石网篮用镍钛形状记忆合金。通过该方法制备得到的合金材料具有优异的力学性能、耐腐蚀性能和防震性能。

一种掺杂石墨烯粉体的导电银浆及其制备方法

Resumen de: CN120236805A

本发明公开了一种掺杂石墨烯粉体的导电银浆及其制备方法，涉及导电银浆技术领域。本发明先利用等离子体对石墨烯进行氮掺杂，在石墨烯晶格中引入氮原子，形成氮掺杂石墨烯，然后通过等离子体表面修饰技术，在石墨烯表面引入含氧官能团，进一步提到导电性。将苯胺单体与氨基苯甲酸单体按混合，并在氮掺杂石墨烯表面进行原位聚合，生成聚苯胺‑氨基苯甲酸共聚物，将原位聚合得到的石墨烯‑聚苯胺材料与碳纳米管复合，构建三维导电网络。其次，将上述制备的三维填料添加到导电银浆中，氨基苯甲酸中的羧基在，与银颗粒之间的范德华力吸附结合，形成稳定的界面结构，降低界面电阻，增强导电网络的连通性。本发明制备的导电银浆具有高导电性的效果。

一种具有高乳化水平及优异浸润性的醛酮合成碳点及其制备方法

Resumen de: CN120229707A

一种具有高乳化水平及优异浸润性的醛酮合成碳点及其制备方法，属于二维界面材料技术领域。本发明将乙醛和丙酮作为碳源，通过控制反应时间、醛酮种类、醛酮比例的方法来制备高乳化水平以及具有优异浸润性的碳点材料，并将调控制备得到的碳点材料应用于甲苯有机溶剂的乳化，获得高乳化水平的乳液体系。本发明采用溶剂热法，相较于水热法，无需反应釜加热，且降低能源消耗。本发明制备的碳点在乳化体系中具有极高的适应性，其独特的表面化学特性使其能够在油水界面形成高稳定性的乳化层，有效增强乳化效果。本发明得到的醛酮碳点材料大小均一，分散度高，能够满足不同油相条件下的乳化需求，且成本极为低廉，制作工艺简单。

一种二维异质结包覆层状氧化物的正极材料及其制备方法与应用

Resumen de: CN120237198A

本发明公开了一种二维异质结包覆层状氧化物的正极材料及其制备方法与应用，属于锂离子电池正极材料改性技术领域。所述二维异质结包覆层状氧化物的正极材料的制备方法，包括如下步骤：将层状氧化物顺次交替进行多孔钛铁氧纳米片包覆和多孔还原氧化石墨烯包覆，烧结，得到所述二维异质结包覆层状氧化物的正极材料；所述多孔钛铁氧纳米片为具有多孔结构的二维Ti0.6Fe0.4O2纳米片；所述层状氧化物包括三元锂、钴酸锂或富锂锰基氧化物。本发明采用特定的多孔钛铁氧纳米片和多孔还原氧化石墨烯结合对层状氧化物进行包覆，实现了二维异质结在层状氧化物正极表面的均匀包覆，避免了因局部包覆不均匀导致的性能差异。

一种磁感应电场制备碳量子点及百香果果汁铜离子检测的方法

Resumen de: CN120230545A

本发明涉及食品加工检测技术领域，公开了一种磁感应电场制备碳量子点及百香果果汁铜离子检测的方法，将新鲜玉米破壁后，采取磁感应电场两步酶解酸水热法合成天然液相荧光碳量子点(CQDs)。在紫外光照射下，该荧光碳量子点发出蓝色荧光。经过傅里叶红外光谱、X‑Ray粉末衍射光谱等对CQDs的结构和组成进行检测分析；荧光碳量子点含有C‑O、O‑H等亲水性基团。本发明合成的荧光碳量子点在380nm激发波长下，于450nm处出现最强荧光发射，其荧光量子产率达到93.48％。在检测Cu2+对CQDs的猝灭效果时，在20μg/g～180μg/g范围内，CQDs对铜离子的检测限为18.8μg/mL。本发明提高百香果果汁的Cu2+的浓度检测的灵敏性、速度快，保证百香果果汁的重金属检测的可靠快速性。

一种纳米碳插层的五氧化二铌负极材料及其制备方法和应用

Resumen de: CN120237164A

本发明涉及一种纳米碳插层的五氧化二铌负极材料及其制备方法和应用。所述纳米碳插层的五氧化二铌负极材料的制备方法包括：(1)将层状H4Nb6O17粉末分散在去离子水中，再加入碱性有机插层剂，先在50～70℃温度下搅拌3～7天，得到有机单体插层的H4Nb6O17；(2)将所得有机单体插层的H4Nb6O17分散于含有聚合引发剂的溶液中，先在20～30℃温度下搅拌3～7天，再经洗涤离心、干燥和热处理，得到所述纳米碳插层的五氧化二铌负极材料。

一种基于核糖体亲和的用于肿瘤光动力治疗的荧光纳米碳点、制备及应用

Resumen de: CN120204415A

本发明公开了一种基于核糖体亲和的用于肿瘤光动力治疗的荧光纳米碳点、制备及应用，涉及亚细胞器成像和光动力治疗领域。本发明中使用左氧氟沙星、甲苯胺蓝和聚乙烯亚胺作为原料，通过加热合成了具有红色荧光和光动力治疗效果的碳点。左氧氟沙星可修饰至碳点表面，用于结合定位于糙面内质网的核糖体；甲苯胺蓝作为光敏剂在碳点合成中作为碳核，有助于碳点的形成；聚乙烯亚胺作为阳离子聚合物，使得碳点表面带有合适的正电荷，有助于细胞对碳点的快速摄取。本发明中的纳米碳点可特异性标记细胞核糖体，从而实现对核糖体的成像，此外在激光照射下可实现光动力治疗。本发明中的碳点的特异性高，标记快速，且还能产生单线态氧用于光动力治疗。

一种氧化锌/石墨烯量子点气凝胶及其制备方法及NO2气敏传感器

Resumen de: CN120208282A

本发明涉及一种氧化锌/石墨烯量子点气凝胶及其制备方法及NO2气敏传感器。该氧化锌/石墨烯量子点气凝胶的制备方法为将海藻酸钠、氧化锌、石墨烯量子点溶液混合后得到悬浮液，冷冻干燥即得。本发明充分发挥了石墨烯量子点(GQDs)的高比表面积、良好的导电性以及化学稳定性等独特的物理化学性质，改善了以纯ZnO为主体构建的气敏传感器的工作温度高、灵敏度低、响应慢等问题。

石墨烯分散剂及其制备方法和应用

Resumen de: CN120209186A

本申请公开了一种石墨烯分散剂及其制备方法和应用，本申请中所述的石墨烯分散剂具有如式I所示的化学结构：#imgabs0#其中，n、m分别为重复单元，n＝1220～1660，m＝20～240。该石墨烯分散剂具有特定的结构，不仅能够高效剥离石墨制备石墨烯，同时能够使得石墨烯在水中稳定分散，避免石墨烯重新堆积和团聚，制备得到横向尺寸小且少层的石墨烯，同时提高制备的石墨烯的质量和产率，对于工业规模化生产高质量小尺寸石墨烯具有重要的意义。

一种表面拓扑结构可控的多足复合材料及制备方法与应用

Resumen de: CN120208248A

本发明涉及一种表面拓扑结构可控的多足复合材料及制备方法与应用，材料表面生长有多足结构，每个足长度为50‑500nm，直径为50‑150nm；制备方法为在水‑乙醇混合体系中进行反应，以十六烷基三甲基溴化铵为结构导向剂，以1,2‑双(三乙氧基硅基)乙烷为硅源，以氨水为催化剂，在原材料表面生长多足结构；制备得到的多足复合材料可应用于口服给药，菌种筛选，细胞分离与检测等领域。与现有技术相比，本发明方法可实现材料表面的形貌的调控，具有重要的实际应用价值，是调控材料‑生物界面交互作用力的一种普适性方法。

一种无溶剂一锅法制备木质素基碳量子点的方法及制成的木质素基碳量子点和应用

Resumen de: CN120208206A

本发明属于碳量子点技术领域，公开了一种无溶剂一锅法制备木质素基碳量子点的方法及制成的木质素基碳量子点和应用。该方法使用工业碱木质素作为碳源，赖氨酸充当氮源，再和无水草酸充分研磨混合后在常压高温条件下制备成含氮木质素基碳量子点；反应结束后进行离心、透析、过滤纯化，最后冷冻干燥得到木质素基碳量子点粉末。本发明的制备方法，使用的氮源赖氨酸具有优异的稳定性，增强了木质素基碳量子点的量子产率及其收率。通过本发明的制备方法制得了优异的发光性能和高收率的木质素基碳量子点。

基于氮掺杂碳量子点荧光探针检测亚硝酸盐含量的方法

Resumen de: CN120213869A

本发明公开了一种基于氮掺杂碳量子点(N‑CDs)荧光探针检测亚硝酸盐含量的方法，在聚四氟乙烯中加入2,3‑二氨基吡啶和超纯水，混合均匀后密封于反应釜中，于180℃反应8h，室温冷却后在离心机中离心，分离非荧光沉积物，得到淡棕色上清液，上清液用微孔滤膜分离不溶性固体颗粒，滤液用透析袋透析，每6h更换一次透析介质，干燥后得到氮掺杂碳量子点，基于该氮掺杂碳量子点通过绘制标准曲线法测定待测含有亚硝酸盐的样品溶液中亚硝酸盐浓度。本发明制得的N‑CDs在快速高效、高选择性、高灵敏度检测亚硝酸盐方面显示了良好的应用前景。

一种醋酸锌-抗坏血酸碳点的制备方法及其应用

Resumen de: CN120209832A

本发明涉及荧光碳点的合成技术领域，具体涉及一种醋酸锌‑抗坏血酸碳点的制备方法及其应用。包括：S1、称取一定质量的醋酸锌和抗坏血酸，用水溶解，将醋酸锌溶液和抗坏血酸溶液在室温下混合均匀，得溶液A；S2、将S1中的溶液A转移至水热反应釜中，180℃～220℃反应1～4小时，得溶液B；S3、将S2中的溶液B用0.45μm滤膜过滤、冷冻干燥，最终得到醋酸锌‑抗坏血酸碳点。本发明采用水热合成法首次成功构建醋酸锌‑抗坏血酸荧光碳点，在380nm激发波长下，产物在490nm处有发射峰，呈蓝色荧光；以硫酸奎宁为标准参照物，其量子产率为10.05％；以CDs溶液为探针分子，加入ClO‑后可诱导CDs荧光淬灭，且次氯酸盐浓度与CDs的荧光强度呈线性响应，可用于次氯酸盐的快速定量检测。

碳量子点溶液制备方法及荔枝喷施应用

Resumen de: CN120208207A

本发明公开了一种以果园废弃物，尤其是荔枝叶为原料衍生的碳量子点溶液的制备方法，主要包括荔枝叶前处理、水热合成和分离纯化等系列操作。所制备的碳量子点平均粒径为2.5±0.9nm，具有荧光特性，在紫外光激发下可发射蓝光，其最大激发波长为342nm，最大发射波长为421nm，荧光量子产率为11.9％。基于上述的碳量子点溶液制备方法，本发明还公开了碳量子点溶液喷施方法：将该碳量子点溶液喷施于果实膨大期的妃子笑可显著提高果皮着色均匀度并改善果实品质。本发明通过资源化利用荔枝叶废弃物，有助于降低原料成本，将其应用于农业生产，可有效提高荔枝成熟时果皮颜色的均匀度和果实品质，减少因着色不均导致的经济损失。

一种硅基复合材料、负极极片与二次电池

Resumen de: CN120221626A

本申请公开了一种硅基复合材料、负极极片与二次电池，属于电池技术领域。该产品基于以纳米尺寸的硅碳复合颗粒作为内核，同时以纳米片状的锌咪唑骨架的MOF材料ZIF‑90的衍生碳纳米片作为外壳构建核壳结构，不仅可以实现良好的硅元素体积效应限制作用，保障其作为负极极片活性材料时的尺寸稳定性，同时导电性高，结构强度好，可实现高压实密度，进一步制备的二次电池在实现高容量、优异循环性能时还可兼顾高倍率性能。

一种通过快速焦耳热制备负载Fe3O4颗粒的石墨烯电磁屏蔽膜的方法

Nº publicación: CN120208216A 27/06/2025

Solicitante:

中国科学院上海光学精密机械研究所国科大杭州高等研究院

Resumen de: CN120208216A

本发明涉及一种使用快速焦耳热技术制备高效电磁屏蔽石墨烯膜的方法，属于功能材料及其应用技术领域。该方法首先通过真空抽滤制备氧化石墨烯薄膜，随后在氩气保护下进行预还原处理，将薄膜加热至700℃并保温1小时，以去除部分氧官能团。接着，将预还原后的薄膜浸泡在氯化铁乙醇溶液中，引入Fe3O4纳米颗粒前驱体，并通过快速焦耳热还原技术，在100V电压下进行0.1秒的放电处理，实现氧化石墨烯的快速还原和Fe3O4纳米颗粒的掺杂。最终制备的石墨烯膜在X波段(8‑12GHz)表现出优异的电磁屏蔽效能，达到38dB，较未掺杂Fe3O4的样品(36dB)提升了2dB。本发明方法具有操作简便、能耗低、还原效率高的特点，同时通过Fe3O4纳米颗粒的引入实现了电导损耗、磁损耗和介电损耗的协同作用，显著提升了材料的电磁屏蔽性能，适用于电子设备电磁干扰防护等领域。